Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638
Название: Structural studies of flash evaporated a-Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X-ray- and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy
Другие названия: Структурні дослідження тонкоплівкових наношарів a-Ge(2)S(3) методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та фотоелектронної спектроскопії з використанням синхротронного випромінювання
Авторы: Petretskyi, S.
Holomb, R.
Mitsa, V.
Kondrat, O.
Popovych, N.
Lovas, G.
Loja, V.
Міца, Володимир Михайлович
Ключевые слова: халькогенідне скло, Ge(2)S(3), фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія
Дата публикации: 2013
Издательство: Видавництво УжНУ "Говерла"
Библиографическое описание: Structural studies of flash evaporated a–Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X–ray– and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy [Текст] / S. Petretskyi, R. Holomb, V. Mitsa et al. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип. 34. – С. 80–84. – Бібліогр.: с. 83–84 (22 назви).
Серия/номер: Фізика;
Краткий осмотр (реферат): Плівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія.
Описание: Плівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія.
Тип: Text
Тип публикации: Стаття
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638
Располагается в коллекциях:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 34 - 2013
Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
STRUCTURAL STUDIES OF FLASH EVAPORATED.pdf108.79 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.