Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638| Title: | Structural studies of flash evaporated a-Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X-ray- and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy |
| Other Titles: | Структурні дослідження тонкоплівкових наношарів a-Ge(2)S(3) методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та фотоелектронної спектроскопії з використанням синхротронного випромінювання |
| Authors: | Petretskyi, S. Holomb, R. Mitsa, V. Kondrat, O. Popovych, N. Lovas, G. Loja, V. Міца, Володимир Михайлович |
| Keywords: | халькогенідне скло, Ge(2)S(3), фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Citation: | Structural studies of flash evaporated a–Ge(2)S(3) thin films nanolayers by high resolution X–ray– and synchrotron radiation photoelectron spectroscopy [Текст] / S. Petretskyi, R. Holomb, V. Mitsa et al. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип. 34. – С. 80–84. – Бібліогр.: с. 83–84 (22 назви). |
| Series/Report no.: | Фізика; |
| Abstract: | Плівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія. |
| Description: | Плівки Ge2S3 були виготовлені методом дискретного термічного випаровування порошку і досліджувалися методом фотоелектронної спектроскопії. Досліджені СФС і РФС спектри опромінених лазером та відпалених плівок Ge2S3. Також проаналізовані зміни параметрів фото- електронних спектрів плівок, індуковані лазерним опроміненням з енергією, близькою до ширини забороненої зони, і термічним відпалом. Обговорюється вплив окислення Ge у при поверхневих шарах на структурні зміни у плівці. Ключові слова: халькогенідне скло, Ge2S3, фотоструктурні зміни, фотоелектронна спектроскопія. |
| Type: | Text |
| Publication type: | Стаття |
| URI: | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2638 |
| Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 34 - 2013 Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| STRUCTURAL STUDIES OF FLASH EVAPORATED.pdf | 108.79 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.