Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2650
Назва: | Вплив швидких важких іонів Xe(26+) на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладки сапфіру |
Інші назви: | Effect of swift heavy ion Xe(26+) on the properties of ZnO films deposited on sapphire substrates |
Автори: | Миронюк, Д.В. Романюк, A.С. Скуратов, В.О. Тімофеєва, І.І. Лашкарьов, Г.В. Лазоренко, В.Й. Стрельчук, В.В. Коломис, О.Ф. Хомяк, В.В. |
Ключові слова: | оксид цинку, ZnO, опромінення, швидкі важкі іони, точкові дефекти |
Дата публікації: | 2013 |
Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
Бібліографічний опис: | Вплив швидких важких іонів Хе(26+) на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладки сапфіру [Текст] / Д. В. Миронюк, А. С. Романюк, В. О. Скуратов та ін. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород : Говерла, 2013. – Вип. 34. – С. 86–91. – Бібліогр.: с. 89–90 (11 назв). |
Серія/номер: | Фізика; |
Короткий огляд (реферат): | Плівки оксиду цинку, вирощені методом магнетронного осадження при постійному струмі на сапфірових підкладках, опромінювали різними дозами іонів Хе26+ з енергією 167 МеВ. Вихідні та опромінені зразки були досліджені методами рентгенівського структурного аналізу, фотолюмінесценції та спектроскопії резо- нансного комбінаційного розсіювання світла. Встановлено, що опромінення викликає виникнення дефектів, зменшення розміру областей когерентного роз- сіювання та зростання інтенсивності дефектної смуги ФЛ. Ключові слова: оксид цинку, ZnO, опромінення, швидкі важкі іони, точкові дефекти. |
Опис: | Zinc oxide films were grown by direct current magnetron sputtering on the sapphire substrates and irradiated by ions Xe26+ with energy 167 MeV and fluences of 1012 and 1013 cm-2. As-grown and irradiated samples were investigated by X-ray diffraction, photoluminescence and resonance Raman spectroscopy. It was found that radiation causes the appearance of defects, reducing the size of coherent scattering regions and the increase of the defect PL band. Keywords: zinc oxide, ZnO, irradiation, swift heavy ions, defects. |
Тип: | Text |
Тип публікації: | Стаття |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2650 |
Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 34 - 2013 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
ВПЛИВ ШВИДКИХ ВАЖКИХ ІОНІВ Xe26+ НА.pdf | 562.12 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.