Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/35218| Назва: | Особливості діаграм "властивість-склад" стекол системи Sb-S |
| Інші назви: | Peculiarities of diagrams ,,property- composition” of Sb-S system glasses |
| Автори: | Рубіш, В. М. Штець, П. П. Рубіш, Василь Васильович Малеш, В. І. Семак, Д. Г. |
| Дата публікації: | 2002 |
| Видавництво: | Редакційно-видавнича рада Ужгородського національного університету |
| Бібліографічний опис: | Особливості діаграм "властивість-склад" стекол системи Sb-S / В. М. Рубіш, П. П. Штець, В. В. Рубіш [та ін.] // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І. Небола (відпов. ред.), Д. Блецкан, О. Герзанич та ін. – Ужгород : УжНУ, 2002. – Вип. 11. – C. 87-91 |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | Приведені результати досліджень деяких фізико-хімічних та термодинамічних параметрів стекол SbxS1-x. В рамках концепції вільного об'єму розраховані енергія утворення і об'єм мікропорожнин у склах. Встановлена кореляція концентраційних залежностей досліджених і розрахованих параметрів стекол з кінетичною діаграмою стану системи Sb-S. The results of investigations of some physico-chemical and thermodynamic parameters of SbxS1-x glasses have been given. Within the free volume conception the void formation energy and the void volume in glasses have been calculated. The correlation of concentrational dependences of the studied and calculated parameters of | glasses with a kinetic phase diagram of Sb-S system has been established. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/35218 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 11 (2002) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ОСОБЛИВОСТІ ДІАГРАМ ВЛАСТИВІСТЬ-СКЛАД.pdf | 531.21 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.