Аналіз розсіювання світла на нерегулярній поверхні халькогенідних склоподібних тонких плівок в рамках статистичного підходу

Abstract

З точки зору теоретико-імовірнісного підходу проаналізовано рельєф поверхні тонких плівок халькогенідних склоподібних напівпровідників, одержаних термічним напиленням у вакуумі. За допомогою статистично- кореляційних параметрів профілю поверхні плівок розраховано індикатриси розсіювання світла на їх поверхні. Розрахунки проведені для експериментально досліджених п’ятьох типів тонких плівок: на основі чистого Ge2S3 та модифікованого Ge2S3 алюмінієм, свинцем, вісмутом та телуром .

Surface relief of vacuum-evaporated glassy chalcogenide semicondactor thin films is analyred from the point of vien of theory of probability. Using statistical correlation parameters of the film surface profile the indicatrices of light scattering on their surface are calculated. The calculations are perforormed for five experimentally studied types of the thin films: based on pure Ge2S3 and Ge2S3 modified with aluminium, lead, bismuth and tellurium.