Утворення аморфного кремнію на поверхні пористого кремнію

Abstract

Досліджувався вплив концентрації HF в складі електроліту на товщину та структуру пористого кремнію. Зразки були виготовлені в електроліті HF:H2O:C2H5OH з змінною концентрацією плавикової кислоти. Встановлено основні закономірності збільшення товщини пористого кремнію від концентрації кислоти під час анодування. Показано утворення при певних режимах анодування аморфного кремнію на поверхні пористого кремнію.

Effect of change HF concentration in the fabrication of porous silicon was investigated. We used porous silicon samples boron-doped p– type silicon substrate using standard hydrofluoric acid-based etching solution in order to affect properties of porous silicon. The basic laws of increase in thickness porous silicon from time of anodizing are established. It is shown formations at the certain modes of anodizing of amorphous silicon on a surface porous silicon.