Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36416| Title: | Дослідження процесів рекомбінації та прилипання в монокристалах Ga2Se3 |
| Other Titles: | Study of the recombination and retrapping processes in Ga2Se3 monocrystals |
| Authors: | Блецкан, Дмитро Іванович Кабацій, В. М. Краньчец, М. Фролова, В. В. |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Citation: | Дослідження процесів рекомбінації та прилипання в монокристалах Ga2Se3 / Д. І. Блецкан, В. М. Кабацій, М. Краньчец, В. В. Фролова // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / ред. кол. : В.Різак, В.Біланич, Ю.Височанський, О.Грабар. – Ужгород : Говерла, 2008. – Вип. 23. – С. 118-125. – Рез. укр., англ. – Бібліогр.: с. 124-125 (29 назв) |
| Series/Report no.: | Фізика; |
| Abstract: | З використанням взаємодоповнюючих та незалежних стаціонарних і кінетичних методів дослідження фотопровідності встановлено схему електронних переходів у високоомних кристалах Ga2Se3 n-типу, одержаних методом Бріджмена. Model of the electron transitions in high-resistance Ga2Se3 crystals of n-type, obtained by Bridgmen method, was established by utilizing mutually complementary stationary and kinetic methods of photoconductivity investigations. |
| Type: | Text |
| Publication type: | Стаття |
| URI: | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36416 |
| Appears in Collections: | 2008 / Науковий вісник УжНУ. Серія: Фізика. Випуск 23 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ РЕКОМБІНАЦІЇ ТА.pdf | 192.98 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.