Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36416| Назва: | Дослідження процесів рекомбінації та прилипання в монокристалах Ga2Se3 |
| Інші назви: | Study of the recombination and retrapping processes in Ga2Se3 monocrystals |
| Автори: | Блецкан, Дмитро Іванович Кабацій, В. М. Краньчец, М. Фролова, В. В. |
| Дата публікації: | 2008 |
| Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Бібліографічний опис: | Дослідження процесів рекомбінації та прилипання в монокристалах Ga2Se3 / Д. І. Блецкан, В. М. Кабацій, М. Краньчец, В. В. Фролова // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / ред. кол. : В.Різак, В.Біланич, Ю.Височанський, О.Грабар. – Ужгород : Говерла, 2008. – Вип. 23. – С. 118-125. – Рез. укр., англ. – Бібліогр.: с. 124-125 (29 назв) |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | З використанням взаємодоповнюючих та незалежних стаціонарних і кінетичних методів дослідження фотопровідності встановлено схему електронних переходів у високоомних кристалах Ga2Se3 n-типу, одержаних методом Бріджмена. Model of the electron transitions in high-resistance Ga2Se3 crystals of n-type, obtained by Bridgmen method, was established by utilizing mutually complementary stationary and kinetic methods of photoconductivity investigations. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36416 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 23 (2008) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ РЕКОМБІНАЦІЇ ТА.pdf | 192.98 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.