Зависимость электрического сопротивления от давления для сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6

Abstract

Исследованы зависимости электрического сопротивления R(p) от давления для пластинки х- среза сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6. Установлено, что в сегнетоэлектрической и параэлектрической фазах зависимость R(p) уменьшается с давлением, а вблизи давления фазового перехода выявляет аномалию. Теоретически получена экспоненциальная зависимость вида: R(p) = R0 ×exp(D0 + D1 × p + D2 × p2 + D3 × p3 ) и показано, что она хорошо описывает экспериментальные результаты R(p). Определены параметры: R0 , D0 , D1, D2 , D3 для сегнетоэлектрической и параэлектрической фаз. Найдены и иследованы зависимости функций характеризующих R(p) таких как: [1/ R(p)]×[d(R(p)) / dp] , 2kT[In(R(p)/R0)] 2kT ln R p R0 , 2kT[d[ln(R(p) R0)] / dp], [1/ EgR (T, p)] × [dEgR (T, p) / dp] . Обнаружены четкие аномалии при фазовом переходе.

Dependences of electrical resistance R(p) versus pressure are investigated for x-cut plates of Sn2P2S6 ferroelectric crystal. It is established, that dependence R(p) decreases with increasing pressure for ferroelectric and paraelectric phase and in the vicinity of the phase transition the anomaly occurs. The following exponential dependence is obtained theoretically: R(p) = R0 ×exp(D0 + D1 × p + D2 × p2 + D3 × p3 ) . It is also shown, that exprerimental results of R(p) are well discribed by this dependence. Also following parametres are obtained: R0 , D0 , D1 , D2 , D3 for ferroelectric and paraelectric phase. Dependences of functions [1/ R(p)]×[d(R(p)) / dp] , 2kT[In(R(p)/R0)] 2kT ln R p R0 , 2kT[d[ln(R(p) R0 )] / dp], [1/ EgR (T, p)] [dEgR (T, p) / dp] × are found and investigated. The clear anomalies of these functions occur in the point of the phase transition.