DFT-розрахунки просторової та електронної структури кристалів Sn2P2S6 в пара- та сегнетофазах

Abstract

Проведено ab initio розрахунки просторової та електронної будови двох відомих структурних модифікацій кристала Sn2P2S6: сегнетофази та парафази методом функціонала густини (DFT). Аналіз отриманих результатів свідчить про те, що в умовах оптимізації геометрії розглядувані структури зберігають топологію кристала Sn2P2S6, а розраховані значення геометричних параметрів відтворюють відповідні експериментальні результати. Виконано порівняльний аналіз електронної структури модифікацій кристалу Sn2P2S6 на основі розрахованих густин розподілу електронних станів (повних та спроектованих на атомні стани). На основі аналізу атомних зарядів Гіршфельда та деформаційної електронної густини проведено порівняння типу хімічного зв’язку в різних структурних модифікаціях кристалу Sn2P2S6.

The spatial and electronic structures of two well-known modifications of crystalline Sn2P2S6 with different symmetries are calculated in the framework of the densityfunctional theory (DFT). The results obtained testify that in conditions of geometry optimization the investigated models keep the topology of the modeled crystal Sn2P2S6, while calculated geometric parameters values are close to relevant experimental ones for the crystal. A comparative analysis of the electronic properties of the modifications under consideration is performed on the basis of the calculated densities of states (the total densities of states and the densities of states projected onto the atomic states). The types of chemical bonding in different modifications of crystalline Sn2P2S6 are compared by analyzing the Hirshfeld atomic charges and deformation electronic density.