Вплив Х-опромінення на фотоелектричні параметри гетероструктур оксид-InSe

Abstract

Встановлено вплив характеристичного Х-випромінювання на фотоелектричні параметри гетероструктур власний оксид - p-InSe, який проявляється в зростанні потенціального бар'єру. Показано, що зі збільшенням експозиції опромінення величина бар'єру наближається до максимально можливого значення - половини ширини забороненої зони базового матеріалу. Досліджено вольтамперні, навантажувальні й спектральні характеристики гетероструктур, механізми струмопроходження через потенціальний бар'єр до й після Х-опромінення. Отримані результати пояснюються зміною концентрації акцепторів у InSe після опромінення та зростанням рекомбінаційних процесів у механізмі струмопереносу.

Influence of characteristic X-ray irradiation on photoelectrical parameters of intrinsic oxide — p-InSe heterostructures is shown to be revealed in the potential barrier increase. With the irradiation dose increase the barrier value approaches the greatest possible value — half of the base material bandgap. Current-voltage, loading and spectral characteristics of the heterostructures are studied as well as the mechanisms of the current transfer through the potential barrier before and after the X-ray irradiation. The obtained results are explained by the change of acceptor concentration in InSe after the irradiation and the increase of the contribution of recombination processes into the current transfer mechanism.