Contributions of autoionizing states to the near-threshold electron impact ionization cross-section of selenium atoms

Abstract

A crossed electron and atomic beams scattering geometry was employed to measure ionization cross-section for selenium atomsfrom the threshold up to 19.2 eV with an energy resolution of 0.4 eV. For the first time a strong structure was revealed just above the ionization threshold and for the higher energies. Identification of the structure revealed the dominant role of dipole forbidden autoionizing configurations s2p3 (2D,2P)nl and sр4 (4P)nI in the enhancement of the ionization cross-section (up to 19 %) in the impact energy range 13-15 eV. The evident resonance character of the structure points out the presence of negative-ions in the near-threshold excitation of the contributing autoionizing states.

Використовуючи метод електронного й атомного пучків, що перетинаються, виміряно енергетичну залежність перерізу іонізації атомів селену від порогу процесу до 19.2 еВ. Дані одержано при енергетичній роздільній здатності 0.4 eB. Вперше виявлено інтенсивну резонансну структуру як біля порогу, так і при більших енергіях зіткнень. Ідентифікація структури виявила домінуючу роль дипольно заборонених з основного стану переходів на автоїонізаційні конфігурації s2p3 (2D,2P)nl та sр4 (4P)nI у збільшенні перерізу іонізації (до 19 9%) в енергетичній області 13-15 еВ. Резонансний характер структури вказує на при- сутність негативних іонів у біляпороговому збудженні автотонізаційних станів, що спричинюють збільшення перерізу іонізації.