Особливості зворотного розсіювання повільних електронів поверхнею n-GaAs(111)

Abstract

Представлено результати дослідження пружного та непружного зворотного розсіювання повільних (0-3 еВ) моноенергетичних (FWHM ~ 50-70 меВ) електронів поверхнею (111) арсеніду галію, легованого Sn. Тонку структуру в спектрах пов'язано зі збудженням поверхневих та об'ємних електронних станів. Показано, що енергетичні положення виявлених особливостей добре корелюють з енергетичними відстанями між максимумами густини електронних станів, розрахованими теоретично 1 визначеними іншими експериментальними методами, та суттєво доповнюють їх.

Elastic and inelastic backscattering of slow (0—3 eV) monoenergetic (FWHM ~ 50— 70 meV) electrons by the (111) surface of Sn-doped GaAs is studied. The fine structure in the spectra is related to the excitation of bulk and surface electron states. The energy positions of the observed features are shown to correlate well with the energy distances between the maxima of the electron density of states calculated theoretically and determined by other experimental techniques as well as essentially complement them.