Люмінесцентні властивості плівок GaN:Mg та GaN:Zn, відпалених в атмосфері атомарного азоту

Abstract

Проведено дослідження впливу відпалу в атмосфері атомарного азоту на люмінесцентні властивості плівок GaN:Mg та GaN:Zn. У міру зростання температури відпалу в інтервалі 573-1073 К спостерігається зменшення інтенсивності смуг фотолюмінісценції при 2,83 еВ та 3,7 еВ і зростання інтенсивності смуг при 3,27(3,26) еВ та 3,45 еВ. Проведено критичний аналіз механізмів дефектоутворення та природи смуг, що спостерігаються.

The effect of annealing in the atmosphere of atomary nitrogen on luminescent properties of GaN:Mg and GaN:Zn films is investigated. As the annealing temperature increases both 2.83-eV and 3.47-eV photoluminescence bands decrease. Annealing in atomary nitrogen at the temperatures 573-1073 K results in the increase of 3.27(3.26)-eV and 3.45-eV photoluminescence band intensities with the annealing temperature. The mechanisms of defect formation and nature of bands are critically analyzed.