Мультикритична поведінка власних одновісних сегнетоелектриків типу Sn2P2S6

Abstract

Досліджені температурні залежності оптичного двопроменезаломлення для номінально чистих кристалів Sn2P2S6 а також цих кристалів з домішками атомів свинцю або селену, та твердих розчинів Sn2P2(SeхS1-х)6. Проаналізовані зміни аномалій цих температурних залежностей в околі сегнетоелектричного фазового переходу другого роду при зростанні дефектності кристалічної структури, та при індукованому зміною хімічного складу кристалів наближенні фазового переходу до точки Ліфшиця на фазовій діаграмі. Отримані експериментальні дані погоджуються з відомими результатами ренорм-групового аналізу асимптотичної поведінки дипольних систем в околі трикритичної точки Ліфшиця.

Temperature dependensies of the birefringence of nominally pure and doped by led and selenium Sn2P2S6 crystals, as well as Sn2P2(SeхS1-х)6 mixed crystals, were investigated. The variations of the anomalies of the measured dependencies in the vicinity of second order phase transitions produced by the variations in concentration of defects and in the composition of the crystals at approaching to the Lifshitz point were analysed. The results are in accordance with the renorm-group analysis of the behavior of the dipol systems in the vicinity of tricritical Lifshitz point.