Sublimation Process for Obtaining Silicon Films from Molybdenum and Tungsten Disilicide

Abstract

In existing methods of sublimational evaporation of silicon by resistive heating, careful control and adjustment of heating parameters is required. The sublimation temperature is limited in the range of ~1620÷1670 K. During resistive heating of silicon, it is necessary to carry out its additional heating with an electron beam gun to a temperature of the order 1100 K, at which silicon becomes conductive. In addition, the deposition rate of the films is limited and less than 1 μm/h. Accordingly, electron beam heating of silicon is widely used, but the disadvantage of such a source is the presence in the stream of silicon atoms of the droplet fraction, due to rapid local overheating. This paper proposes to conduct a study of the sublimational evaporation of silicon from refractory metals.

У наявних методах сублімаційного випаровування кремнію шляхом резистивного нагрівання потрібен ретельний контроль і регулювання параметрів нагрівання. Температура сублімації обмежена в діапазоні ~1620÷1670 K. За резистивного нагрівання кремнію потрібно здійснити його додатковий розігрів електронно-променевою гарматою до температури порядку 1100 K, за якої кремній стає провідним. Крім того, швидкість осадження плівок обмежена і становить менше 1 мкм/год. Відповідно до цього, широко використовується електроно-променевий нагрів кремнію, однак недоліком такого джерела є наявність у потоці атомів кремнію крапельної фракції, через швидкий локальний перегрів. У роботі запропоновано провести дослідження сублімаційного випаровування кремнію з тугоплавких металів.