Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39880
Title: | Sublimation Process for Obtaining Silicon Films from Molybdenum and Tungsten Disilicide |
Other Titles: | Сублімаційний процес отримання кремнієвих плівок з дисиліцидів молібдена та вольфраму |
Authors: | Zhuravlov, Oleksandr Yu. Shyian, Oleksandr V. Shirokov, Boris M. Kolodiy, Igor V. Sholohov, Sergii M. Журавльов, О. Ю Шиян, О. В. Широков, Б. М. Колодій, І. В. Шолохов, С. М. |
Keywords: | source of silicon atoms, refractory silicides, thin-film solar cells, silicon structures, джерело атомів кремнію, силіциди тугоплавких металів, тонкоплівкові сонячні елементи, кремнієві структури |
Issue Date: | 2021 |
Publisher: | Ужгородський національний університет |
Citation: | Oleksandr Yu. Zhuravlov, Oleksandr V. Shyian, Boris M. Shirokov, Igor V. Kolodiy, Sergii M. Sublimation Process for Obtaining Silicon Films from Molybdenum and Tungsten Disilicide / Zhuravlov Oleksandr Yu. , Shyian Oleksandr V. , Shirokov Boris M., Kolodiy Igor V., M. Sergii. // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / голов. ред. В. Різак; відп. за вип. К.Є. Глухов. – Ужгород : Видавництво Ужгородський національний університет, 2021. – Вип.49. – с.48-53 |
Series/Report no.: | Фізика; |
Abstract: | In existing methods of sublimational evaporation of silicon by resistive heating, careful control and
adjustment of heating parameters is required. The sublimation temperature is limited in the range of ~1620÷1670 K.
During resistive heating of silicon, it is necessary to carry out its additional heating with an electron beam gun to a
temperature of the order 1100 K, at which silicon becomes conductive. In addition, the deposition rate of the films is
limited and less than 1 μm/h. Accordingly, electron beam heating of silicon is widely used, but the disadvantage of such
a source is the presence in the stream of silicon atoms of the droplet fraction, due to rapid local overheating. This paper
proposes to conduct a study of the sublimational evaporation of silicon from refractory metals. У наявних методах сублімаційного випаровування кремнію шляхом резистивного нагрівання потрібен ретельний контроль і регулювання параметрів нагрівання. Температура сублімації обмежена в діапазоні ~1620÷1670 K. За резистивного нагрівання кремнію потрібно здійснити його додатковий розігрів електронно-променевою гарматою до температури порядку 1100 K, за якої кремній стає провідним. Крім того, швидкість осадження плівок обмежена і становить менше 1 мкм/год. Відповідно до цього, широко використовується електроно-променевий нагрів кремнію, однак недоліком такого джерела є наявність у потоці атомів кремнію крапельної фракції, через швидкий локальний перегрів. У роботі запропоновано провести дослідження сублімаційного випаровування кремнію з тугоплавких металів. |
Type: | Text |
Publication type: | Стаття |
URI: | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39880 |
ISSN: | 2415-8038 |
Appears in Collections: | Науковий вісник Ужгородського університету. Серія "Фізика" Випуск 49, 2021 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Sublimation Process for Obtaining Silicon Films from Molybdenum and Tungsten Disilicide.pdf | 371.63 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.