Зондування різномодифікованих поверхонь Gе(111) повільними електронами

Abstract

Методом зворотного розсіювання електронів низьких енергій (0-6 еВ) з використанням гіпоциклоїдального електронного спектрометра з високим енергетичним розділенням (~70 меВ) досліджено процеси електронного збудження поверхневих та об’ємних електронних станів для різномодифікованих (шліфованої, полірованої та травленої) поверхонь Gе(111). Досліджено енергетичні залежності інтенсивності пружного зворотного розсіювання та спектри енергетичних втрат. Встановлено, що спектри зворотного розсіювання чутливі до стану поверхні, а їх тонка структура обумовлена збудженням поверхневих і об’ємних електронних станів.

Processes of electron excitation of surface and bulk electron states for Ge(111) surfaces of various modification (ground, polished, etched) are studied by low-energy (0-6 eV) electron backscattering technique using a high-resolution (~70 meV) hypocycloidal electron spectrometer. Energy dependences of elastic backscattering intensity and energy loss spectra are studied. The backscattering spectra are shown to be sensitive to the surface state, their fine structure resulting from the excitation of surface and bulk electron states.