Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/41801| Назва: | Термодинамічний і кінетичний аналіз власних дефектів у нітриді галію |
| Інші назви: | Thermodynamic and kinetic analysis of intrinsic defects in gallium nitride |
| Автори: | Рогозін, І. В. Мараховський, О. В. |
| Дата публікації: | 2003 |
| Видавництво: | ПП "Шарк" |
| Бібліографічний опис: | Рогозін, І. В. Термодинамічний і кінетичний аналіз власних дефектів у нітриді галію / І. В. Рогозін, О. В. Мараховський // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І. Небола (відпов. ред.), Д. Блецкан, О. Герзанич та ін. – Ужгород : ПП "Шарк", 2003. – Вип. 14. – С. 46–51. – Бібліогр. с. : 50–51 (19 назв) |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | Проведено термодинамічний аналіз складу власних дефектів у GaN. Розглянуто причини, що визначають схильність GaN до монополярного типу провідності. Запропоновано кінетичну модель дефектоутворення. Thermodynamic analysis of intrinsic defects in GaN is carried out. The reasons that determine the tendency of GaN to the monopolar type of conductivity, are consid- ered. A kinetic model of defect formation is proposed. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/41801 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 14, 2003 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ І КІНЕТИЧНИЙ АНАЛІЗ.pdf | 422.39 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.