Структура локальних станів у міжкристалітних прошарках плівок сульфіду свинцю

Abstract

Досліджувалися фазовий склад і структура тонких полікристалічних плівок сульфіду свинцю, отриманих методом пульверизації. Виявлено аморфну фазу і визначено залежність її появи від окислювача, що вводиться в робочий склад. Отримані за допомогою оригінальної методики кінетичні залежності постійної часу релаксації темнового і фотострумів т від прикладеної напруги у вигляді П-імпульсів і їхні температурні залежності виявили дві енергетичні зони локальних дефектів. Побудовано модель, що пояснює ряд експериментальних фактів, отриманих раніше, у тому числі аномальний характер низькотемпературної фотопровідності в даних плівках.

The phase composition and structure of thin polycrystalline PbS films prepared by spray method were studieed. It An amorphous phase was detected and the dependence of its appearance on the oxidizer, introduced into the operating composition, was determined. The kinetic dependences of dark and photocurrent relaxation time constant t on the applied square-pulsed voltage and their temperature dependences obtained by an original technique have revealed two energy bands of local defects. A model explaining a number of experimental facts having been obtained earlier, including the anomalous character of the low-temperature photoconductivity in these films, іs constructed.