Підвищення квантового виходу фотолюмінесценції шарів поруватого кремнію оптимізацією параметрів анодизації

Abstract

Досліджено можливі шляхи підвищення квантового виходу фотолюмінесценції шарів поруватого кремнію. Вивчено вплив параметрів анодизації на фотолюмінесцентні властивості шарів поруватого кремнію, отриманих на пластинах кремнію з різною кристалографічною орієнтацією. Запропоновано модель, що пояснює вплив кристалографічної орієнтації підкладки на фотолюмінесцентні властивості шарів поруватого кремнію, які утворюються під час анодизації. Виявлено значне збільшення квантового виходу фотолюмінесценції поруватого кремнію при додаванні НСІ в електроліт.

The possible ways of increase of photoluminescence quantum eficiency of layers of porous silicon are investigated. The influence of anodization parameters on the photoluminescent properties of porous silicon layers obtained on silicon substrates with various crystallographic orientation is investigated. The model explaining the influence of the substrate crystallographic orientation on the photoluminescent properties of the porous silicon layers formed under anodization is proposed. The substantial growth of the photoluminescence quantum efficiency of porous silicon is observed under addition of HCI to the electrolyte.