Свічення поверхні чистого і легованого домішками кремнію під дією електронів

Abstract

Виявлено особливості в спектрах свічення поверхонь чистого і легованого іонами В+, Р+ і Аs+ кремнію при бомбардуванні їх пучком електронів з енергією 800 еВ. Спектри досліджено в діапазоні довжин хвиль 200-800 нм. У всіх спектрах виявлено широку смугу з максимумом поблизу 280 нм, а також характеристичне випромінювання десорбованих з поверхні у збудженому стані атомів водню і радикала ОН. Виміряно залежність інтенсивності молекулярної смуги ОН від енергії бомбардуючих електронів, яка носить резонансний характер і має поріг поблизу 35 еВ.

The features in the surface emission spectra of pure and В+-, Р+- ап Аs+ -іоп doped silicon under bombardment by 800-eV electron beam are revealed. The spectra are studied within 200-800 nm range. AlJ the spectra exhibit a broad band centred near 280 nm as well as characteristic radiation of excited hydrogen atoms and OH radical desorbed from the surface. The dependence of the molecular OH band intensity on the energy of the bombarding electrons is measured and shown to be of resonant character with a threshold near 35 eV.