Взаємодія фосфору з атомарно-чистими поверхнями Ge(100)

Abstract

У роботі представлено результати квантовохімічних розрахунків адсорбції фосфору на атомарно-чисті поверхні Gе(100). Описано структури, які може утворювати фосфор на Gе(100)-2х1. Обговорюються фізичні причини утворення димерів Р-Р і Gе-Р на цих поверхнях. Розраховано адсорбційні бар'єри та енергії зв'язку адсорбованих атомів з поверхнею. Обговорюється вплив дефектів на механізм адсорбції і на електронний стан поверхні.

The results of quantum-chemical simulation of phosphorus adsorption on clean Ge(100) surfaces are presentedio Possible structures which phosphorus can form on Ge(100)-2x1 are described. The physical reasons of P-P and Ge—P dimer formation on these surfaces are discussed. Adsorption barriers and binding energies of the ad- sorbed atoms with the surface are calculated. The influence of defects on the ad- sorption mechanism and the surface electronic state is discussed.