Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/4416
Название: | Local structure of technologically modified g-GeS2: resonant Raman and absorption edge spectroscopy combined with ab initio calculations |
Авторы: | Holomb, R.M. Johahsson, P. Mitsa, V.M. Rosola, I. Міца, Володимир Михайлович |
Ключевые слова: | the structure of GeS2, Raman and absorption edge spectroscopy |
Дата публикации: | 2005 |
Краткий осмотр (реферат): | We have used resonant Raman and absorption edge spectroscopy together with first-principle calculations in order to study the structure of GeS2 glasses (g-GeS2). The glasses were prepared under different melt temperatures and cooling rates, which are shown to significantly influence the g-GeS2 structure at the nano-scale. The combined use of Raman spectroscopy and ab initio calculations reveals the origin of the molecular level electronic structure and its connection to the interesting technological features of the g-GeS2. Local structure within the glasses is discussed in terms of atomic GenSm clusters. The band gaps computed for these clusters and their correlation to the experimental band gaps and the possible formation of band tail states are also discussed. |
Тип: | Text |
Тип публикации: | Стаття |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/4416 |
Располагается в коллекциях: | Наукові публікації кафедри інформаційних управляючих систем та технологій |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
07_PhilMag-2005.pdf | 252.1 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.