Вплив фрагментів низько- та високотемпературних кристалічних фаз дисульфіду германію на формування змішаного середнього порядку в технологічно модифікованому склоподібному с-GeS2: різницеві Раман спектри та першопринципні розрахунки

Abstract

У порівнянні зі звичайним Раман спектром, в різницевих Раман спектрах {IRGeS2(TiV1)-IRGeS2(T2V1)} технологічно модифікованого склоподібного с- GeS2(Ti,Vj) ), виявлено розчеплення найбільш інтенсивної коливної моди біля 340см-1. Частотне положення максимумів смуг,знайдених в різницевих Раман спектрах с- GeS2(Ti,Vj) біля 340 і 360см-1 та найбільш інтенсивних коливних мод в Раман спектрах відповідно низько - та високотемпературних кристалічних фаз α-, -GeS2 показало їх добру узгодженість. На основі 4-6, 6 і 4- членних кільцевих фрагментів, вирізаних із кристалічної фази -GeS2 , виконаний розрахунок їх коливного спектру. В кільцевому наближенні ,в термінах коливань тетраедрів GeS4, зв’язаних кутами і по ребру, проведена структурна інтерпретація коливних мод при 360, 370 і 433см-1 Раман спектрів с-GeS2(Ti,Vj). Наявність коливань «дефектних» гомеополярних Ge-Ge та S-S зв’язків віднесена до утворення 5-ти членних кілець в матриці структури склоподібного дисульфіду германію. Утворення в структурі с-GeS2(Ti,Vj) фрагментів низько- та високотемпера- турних кристалічних фаз дисульфіду германію свідчить про формування змішаного середнього порядку в технологічно модифікованому склоподібному с-GeS2