Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/48172
Title: Self-organized structures induced by external white noise and nanosized levels of their formation in the non-crystalline As-S(Se) semiconductor systems
Other Titles: Self-organized structures induced by external white noise
Authors: Mar'yan, Mykhaylo
Yurkovych, Nataliya
Seben, Vladimir
Keywords: self-organization, bifurcation diagram, fractality, nanosized effects, synergetics, white noise, non-crystalline semiconductors, self-organized structures
Issue Date: Dec-2022
Publisher: The Publisher is V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine
Citation: Self-organized structures induced by external white noise and nanosized levels of their formation in the non-crystalline As-S(Se) semiconductor systems M.I. Mar’yan1 , N.V. Yurkovych1*, V. Seben2 1Uzhhorod National University, 54, Volosyna str., 88000 U zhhorod, Ukraine *E-mail: [email protected] 2University of Presov, 1, 17 November str., 08116 Presov, Slovakia. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2022. V. 25, No 4. P. 402-412.
Series/Report no.: 25;4
Abstract: Abstract. Discussed in this paper are the singularity and self-organizing effect of instability and randomness under the influence of external white noise on formation of non-crystalline materials. The random nature of the receiving medium together with the disorganizing effect was found to be capable to initiate formation of qualitatively new self-organized structures in non-crystalline solids. Also analyzed in the paper is the effect of a random temperature field applied to the melt during the cooling process in non-crystalline As-S(Se) semiconductor systems. The conditions for a non-crystalline system in a fluctuating external environment to adjust its properties to the average properties of the environment and to correspond to the deterministic case were identified. Furthermore, the conditions for non-additive reaction of the system to a random environment and formation of a new mode of energy conversion in the self-organized structure at the nanoscale level are determined. The spectrum of the structures created in this way is more diverse as compared to the spectrum corresponding to respective deterministic conditions.
Description: Самоорганізовані структури та нанорозмірні рівні їх формування в некристалічних напівпровідниках системи As-S(Se), індуковані білим шумом M.I. Maр’ян, Н.В. Юркович, В. Шебень Анотація. Розглянуто сингулярність та самоорганізуючий ефект нестабільності і випадковості при впливі зовнішнього білого шуму на утворення некристалічних матеріалів. Встановлено, що випадковий характер середовища одержання разом з дезорганізуючим ефектом може ініціювати утворення якісно нових самоорганізованих структур у некристалічних твердих тілах. Дослідження впливу випадкового температурного поля, прикладеного до розплаву в процесі охолодження, проведено для некристалічних напівпровідників системAs-S(Se). Знайдено умови, за яких некристалічна система у флуктуаційному зовнішньому середовищі підпорядковує свої властивості середнім властивостям середовища і відповідає детермінованому випадку. Також визначено умови, коли система реагує на випадкове середовище одержання не адитивно, а, навпаки, формує новий режим перетворення енергії самоорганізованої структури на нанорозмірному рівні. Отриманий таким чином спектр структур якісно більш різноманітний порівняно з можливим спектром за відповідних детермінованих умов. Ключові слова: біфуркаційна діаграма, фрактальність, нанорозмірні ефекти, синергетика, білий шум, некристалічні напівпровідники, самоорганізовані структури.
Type: Text
Publication type: Стаття
URI: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/48172
ISSN: 1605-6582
1560-8034
Appears in Collections:Наукові публікації кафедри твердотільної електроніки з/с інформаційної безпеки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
v25n4-p402-412.pdf897.88 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.