Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/48175
Название: | Formation and Modeling Nano Sized Levels of the Self-Organized Structures in the Non-Crystalline Thin Films Ge-As-Te(S,Se) Systems |
Другие названия: | Formation and Modeling Nano Sized Levels of the Self-Organized Structures |
Авторы: | Mar'yan, Mykhaylo Yurkovych, Nataliya Seben, Vladimir |
Ключевые слова: | self-organization, Effect of Infrared Irradiation, Fractality, Non-Crystalline Thin Films, Self-Organized Structures, Synergetics |
Дата публикации: | дек-2019 |
Издательство: | Sumy State University |
Библиографическое описание: | Formation and Modeling Nano Sized Levels of the Self-Organized Structures in the Non-Crystalline Thin Films Ge-As-Te(S,Se) Systems M.I. Mar’yan1, N.V. Yurkovych 1, , V. Seben2 1Uzhhorod National University, 45, Volosyna Str., 88000 Uzhhorod, Ukraine 2University of Presov, 1, 17 November Str., 08116 Presov, Slovakia. |
Серия/номер: | 5;4 |
Краткий осмотр (реферат): | A model of thermal instability and the formation of self-organized structures under the action of continuous infrared radiation of a CO2-laser on amorphous condensates of systems Ge-As-Te(S,Se) applied to quartz or mica substrates is proposed, and its analysis is based on experimental studies. It is shown that the uniform distribution of the temperature field along the beam section at the power density of the radiation P>Pc (Pc= (1.8-8.5)W/cm2) becomes unstable and a radial-ring structure with a spatially inhomogeneous profile of the temperature field is formed. Dependence of the threshold density of the power of infrared radiation on the duration of exposure is established. A bifurcation diagram in a plane {power(P),temperature(T)} that describes the singular behavior of optical density, depending on the duration of exposure to radiation is constructed. |
Описание: | Формування та Моделювання Нанорозмірних Рівнів Самоорганізованих Структур в Некристалічних Тонких Плівках Систем Ge-As-Te(S,Se) M.I. Мар’ян1, Н.В. Юркович1*, В. Шебень2 1Ужгородський Національний Університет, 45, вул. Волошина, 88000 Ужгород, Україна 2Пряшівський Універсистет, 1, вул. 17 Новембра, 08116 Пряшів, Словакія Запропонована модель теплових нестійкостей і формування самоорганізованих структур при дії не-перервного інфрачервоного випромінювання СО2-лазера на аморфні конденсати систем Ge-As- Te(S,Se), нанесені на підкладинки з кварцу або слюди, та проведено її аналіз на основі експериментальних дослі-джень. Показано, що однорідний розподіл температурного поля вздовж перерізу пучка при густинах по-тужності випромінювання P>Pc (Pc= (1.8-8.5)W/cm2 ) стає нестійким і формується радіально-кільцева структура з просторово неоднорідним профілем температурного поля. Встановлена залежність порогової густини потужності ІЧ-випромінювання від тривалості опромінення. Побудована біфуркаційна діаграма в площині {power(P),temperature(T)}, яка описує сингулярну поведінку оптичної густини в залежності від тривалості експозиції опромінення. Ключові слова: Ефект Інфрачервоного Опромінення, Фрактальність, Некристалічні Тонкі Плівки, Самоорганізовані структури, Синергетика |
Тип: | Text |
Тип публикации: | Стаття |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/48175 |
ISSN: | 2077-6772 (Print); 2306-4277 (Online) |
Располагается в коллекциях: | Наукові публікації кафедри твердотільної електроніки з/с інформаційної безпеки |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
jnep_11_5_05028.pdf | 625.88 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.