Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/60311| Назва: | Double Hysteresis Loops in Proper Uniaxial Ferroelectrics |
| Автори: | Zamaraite, Ilona Yevych, Ruslan Dziaugys, A. Molnar, Alexander Banys, J. Svirskas, S. Vysochanskii, Yulian |
| Ключові слова: | Hysteresis Loops, Ferroelectrics |
| Дата публікації: | жов-2018 |
| Видавництво: | Physical Review Applied |
| Бібліографічний опис: | Double Hysteresis Loops in Proper Uniaxial Ferroelectrics / I.Zamaraite, R.Yevych, A.Dziaugys, A.Molnar, J.Banys, S.Svirskas, Yu.Vysochanskii // Physical Review Applied. - 2018. - V.10, I.3. - p.034017(7). |
| Короткий огляд (реферат): | In bulk proper uniaxial ferroelectrics, double antiferroelectriclike hysteresis loops are observed in the case of Sn2P2S6 crystal. The quantum-anharmonic-oscillator model is proposed for the description of such a polarization-switching process. This phenomenon is related to the three-well local potential of the spontaneous-polarization fluctuations at a distinctive negative ratio of coupling constants that correspond to intersite interaction in the given sublattice and interaction between two sublattices of the modeled Sn2P2S6 crystal structure. The data obtained can be used for the development of multilevel-cell-type memory technology. |
| Опис: | In bulk proper uniaxial ferroelectrics, double antiferroelectriclike hysteresis loops are observed in the case of Sn2P2S6 crystal. The quantum-anharmonic-oscillator model is proposed for the description of such a polarization-switching process. This phenomenon is related to the three-well local potential of the spontaneous-polarization fluctuations at a distinctive negative ratio of coupling constants that correspond to intersite interaction in the given sublattice and interaction between two sublattices of the modeled Sn2P2S6 crystal structure. The data obtained can be used for the development of multilevel-cell-type memory technology. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/60311 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2018_PhysRevApplied.10.034017.pdf | article | 1 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.