Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/60328
Title: Вплив електронного та гамма-опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6
Authors: Молнар, Олександр Олександрович
Васильєва, Г.В.
Гайсак, Іван Іванович
Саболчій, М.Т.
Стойка, І.М.
Грабар, Олександр Олексійович
Keywords: діелектричний спектр, Sn2P2S6, сегнетоелектрик, радіаційне опромінення
Issue Date: 2016
Publisher: Видавництво УжНУ
Citation: Вплив електронного та гамма-опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6 / О.О.Молнар, Г.В.Васильєва, І.І.Гайсак, М.Т.Саболчій, І.М.Стойка, О.О.Грабар // Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics, Issue 40. – 2016, с. 13-17.
Abstract: У роботі представлені результати досліджень впливу опромінення високоенергетичними ? - і ? - частинками нелегованих кристалів Sn2P2S6 на їх діелектричні спектри. Встановлено, що отримані відмінності в діелектричних спектрах, викликані опроміненням, є нестабільними, і демонструють повільні зміни в початковий стан протягом 2-3 тижнів. При цьому вплив ?- і ?- опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6 суттєво відрізняється від результатів освітлення інтенсивним білим світлом.
Description: У роботі представлені результати досліджень впливу опромінення високоенергетичними ? - і ? - частинками нелегованих кристалів Sn2P2S6 на їх діелектричні спектри. Встановлено, що отримані відмінності в діелектричних спектрах, викликані опроміненням, є нестабільними, і демонструють повільні зміни в початковий стан протягом 2-3 тижнів. При цьому вплив ?- і ?- опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6 суттєво відрізняється від результатів освітлення інтенсивним білим світлом.
Type: Text
Publication type: Стаття
URI: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/60328
Appears in Collections:Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2016_Visnik_40_Molnar_013-017.pdfarticle708.92 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.