Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/60631
Назва: | Chemical Bonding and Polarons in Sn2P2S(Se)6 Ferroelectrics |
Автори: | Vysochanskii, Yulian Medulych, M. Molnar, Alexander Glukhov, K. Dziaugys, A. Banys, J. Yevych, R. Maior, M. |
Ключові слова: | ferroelectrics, Sn2P2S6, Sn2P2Se6, semiconductors, dielectric relaxation, polarons, intrinsic defects |
Дата публікації: | 2014 |
Видавництво: | Taylor & Francis Group, LLC |
Бібліографічний опис: | Chemical Bonding and Polarons in Sn2P2S(Se)6 Ferroelectrics. / Yu. Vysochanskii, M. Medulych, A. Molnar, K. Glukhov, A. Dziaugys, J. Banys, R. Yevych, M. Maior. // Ferroelectrics. – 2014. – Vol. 462. – PP. 117–128. |
Короткий огляд (реферат): | For ferroelectric-semiconductor Sn2P2Se6 the low temperature dielectric relaxation was found to be similar to that observed in Sn2P2S6 analog. This relaxation behavior was explained as an evidence of small polaron dynamics in the lattices with different covalence of bonds between atoms at presence of tin and sulfur (selenium) vacancies. The calculations in LDA approach of the electron band structure and the energy levels of intrinsic defects together with analysis of the Raman spectra and photoluminescence temperature behavior give evidences of polaron dynamics joining with donor-acceptor compensation processes. |
Опис: | For ferroelectric-semiconductor Sn2P2Se6 the low temperature dielectric relaxation was found to be similar to that observed in Sn2P2S6 analog. This relaxation behavior was explained as an evidence of small polaron dynamics in the lattices with different covalence of bonds between atoms at presence of tin and sulfur (selenium) vacancies. The calculations in LDA approach of the electron band structure and the energy levels of intrinsic defects together with analysis of the Raman spectra and photoluminescence temperature behavior give evidences of polaron dynamics joining with donor-acceptor compensation processes. |
Тип: | Text |
Тип публікації: | Стаття |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/60631 |
ISSN: | 0015-0193 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
2014_FerroelectricsVol.462_pp.117–128 (1).pdf | article | 661.73 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.