Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПриц, И. П.-
dc.contributor.authorМайор, М. М.-
dc.contributor.authorВисочанський, Юліан Миронович-
dc.contributor.authorМолнар, Олександр Олександрович-
dc.contributor.authorГурзан, М. И.-
dc.contributor.authorКорда, Н. Ф.-
dc.date.accessioned2024-04-22T09:01:48Z-
dc.date.available2024-04-22T09:01:48Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationПолучение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойства. / И. П. Приц, М. М. Майор, Ю. М. Высочанский, А. А. Молнар, М. И. Гурзан, Н. Ф.Корда. // Материалы восьмого Международного симпозиума, «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы», Харьковь. – 2002, – C.103-105.uk
dc.identifier.urihttps://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290-
dc.descriptionВпервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена.uk
dc.description.abstractВпервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherХарьковьuk
dc.subjectCuInP2S6uk
dc.subjectсегнетоэлектрикиuk
dc.titleПолучение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойстваuk
dc.typeTextuk
dc.pubTypeСтаттяuk
Располагается в коллекциях:Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
2002_Kharkov.pdf142.41 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.