Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Приц, И. П. | - |
dc.contributor.author | Майор, М. М. | - |
dc.contributor.author | Височанський, Юліан Миронович | - |
dc.contributor.author | Молнар, Олександр Олександрович | - |
dc.contributor.author | Гурзан, М. И. | - |
dc.contributor.author | Корда, Н. Ф. | - |
dc.date.accessioned | 2024-04-22T09:01:48Z | - |
dc.date.available | 2024-04-22T09:01:48Z | - |
dc.date.issued | 2002 | - |
dc.identifier.citation | Получение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойства. / И. П. Приц, М. М. Майор, Ю. М. Высочанский, А. А. Молнар, М. И. Гурзан, Н. Ф.Корда. // Материалы восьмого Международного симпозиума, «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы», Харьковь. – 2002, – C.103-105. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290 | - |
dc.description | Впервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена. | uk |
dc.description.abstract | Впервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена. | uk |
dc.language.iso | ru | uk |
dc.publisher | Харьковь | uk |
dc.subject | CuInP2S6 | uk |
dc.subject | сегнетоэлектрики | uk |
dc.title | Получение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойства | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Располагается в коллекциях: | Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
2002_Kharkov.pdf | 142.41 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.