Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Приц, И. П. | - |
| dc.contributor.author | Майор, М. М. | - |
| dc.contributor.author | Высочанский, Юлиан | - |
| dc.contributor.author | Молнар, Александр | - |
| dc.contributor.author | Гурзан, М. И. | - |
| dc.contributor.author | Корда, Н. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-04-22T09:01:48Z | - |
| dc.date.available | 2024-04-22T09:01:48Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Получение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойства. / И. П. Приц, М. М. Майор, Ю. М. Высочанский, А. А. Молнар, М. И. Гурзан, Н. Ф.Корда. // Материалы восьмого Международного симпозиума, «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы», Харьковь. – 2002, – C.103-105. | uk |
| dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290 | - |
| dc.description | Впервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена. | uk |
| dc.description.abstract | Впервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена. | uk |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Харьковь | uk |
| dc.subject | CuInP2S6 | uk |
| dc.subject | сегнетоэлектрики | uk |
| dc.title | Получение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойства | uk |
| dc.type | Text | uk |
| dc.pubType | Стаття | uk |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2002_Kharkov.pdf | 142.41 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.