Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290| Назва: | Получение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойства |
| Автори: | Приц, И. П. Майор, М. М. Высочанский, Юлиан Молнар, Александр Гурзан, М. И. Корда, Н. Ф. |
| Ключові слова: | CuInP2S6, сегнетоэлектрики |
| Дата публікації: | 2002 |
| Видавництво: | Харьковь |
| Бібліографічний опис: | Получение монокристаллов гексатиогиподифосфата CuInP2S6 методами ХТР и направленной кристаллизации из расплава и их сегнетоэлектрические свойства. / И. П. Приц, М. М. Майор, Ю. М. Высочанский, А. А. Молнар, М. И. Гурзан, Н. Ф.Корда. // Материалы восьмого Международного симпозиума, «Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы», Харьковь. – 2002, – C.103-105. |
| Короткий огляд (реферат): | Впервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена. |
| Опис: | Впервые методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы CuInP2S6. Определены параметры ростового процесса. Проведено сравнение сегнетоэлектрических свойств кристаллов CuInP2S6,, полученных методами химических транспортных реакций и Бриджмена. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/61290 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри фізики напівпровідників |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2002_Kharkov.pdf | 142.41 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.