Релаксационное изменение характера фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике

Abstract

Обнаружен эффект временной эволюции сегнетоэлектрического фазового перехода второго рола, близкого к точке Лифшица и трикритической точке на диаграмме состояний, в последователъные переходы второго и первого рода. По данным исследовании временных изменении температурной зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 выдержка кристалла фиксированной температуре в парафазе в окрестности фазового перехода второго рода приводит к возникновению промежуточного, предположительно несоразмерного, состояния. Подсветка образца содействует образованию такого состояния, а направленное вдоль оси спонтанной поляризации постоянное электрическое поле уменьшает его температурный интервал. Экспериментальные данные качественно описываются в приолижении среднего поля в рамках модели, предполагающей линейную зависимость коэффициентов термодинамического потенциала собственного одноосного сегнегоэлектрика с одним направлением модуляции в несоразмерной фазе от концентрации носителей заряда на ловушечном уровне, экспоненциально изменяющейся со временем в процессе релаксации системы к равновесному состоянию при фиксированной температуре.