Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6327
Title: Электронная структура ромбического GeSe.
Other Titles: Electronic band structure of the orthorhombic GeSe crystal.
Authors: Блецкан, Дмитро Іванович
Глухов, Костянтин Євгенович
Кабаций, В. М.
Лукьянчук, О. Р.
Keywords: моноселенид германия, электронная структура, плотность электронных состояний, фотоэлектронные спектры
Issue Date: 2010
Publisher: Видавництво УжНУ "Говерла"
Citation: Электронная структура ромбического GeSe [Текст] / Д. И. Блецкан, К. Е. Глухов, В. Н. Кабаций, А. Р. Лукьянчук // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / редкол.: В.Різак, В.Біланич, Ю.Височанський, О.Грабар. – Ужгород: Видавництво УжНУ «Говерла», 2010. – Вип. 28. – С. 13–28. – Бібліогр.: с. 25–27 (38 назв).
Series/Report no.: Фізика;
Abstract: Методом функционала электронной плотности выполнены самосогласо- ванные вычисления зонного спектра, полной и парциальных плотностей элек- тронных состояний и пространственного распределения плотности валентного заряда ромбического кристалла GeSe. По результатам расчетов сделан деталь- ный анализ структуры валентных состояний. Показано, что вершина валент- ной зоны и дно зоны проводимости ромбического GeSe формируются пре- имущественно 4р-состояниями Se и Ge. Рассчитанная полная плотность элек- тронных состояний в валентной зоне сравнивается с ультрафиолетовыми и рентгеновскими фотоэлектронными спектрами. Выполнен теоретико- групповой анализ, позволивший установить симметрию волновых функций в ряде высокосимметричных точек зоны Бриллюэна и установить структуру зонного представления валентных зон и определить актуальные позиции Вы- коффа в элементарной ячейке GeSe. Исходя из симметрии волновых функций, установлены правила отбора для оптических дипольных переходов. Ключевые слова: моноселенид германия, электронная структура, плотность электронных состояний, фотоэлектронные спектры.
In the framework of Density Functional Theory the self consistent calculations of energy band structure, total and projected densities of states and the spatial distribution of the valence charge of orthorhombic GeSe crystal were carried out. Results of these calculations were used for detailed analysis of valence states structure. It was shown, that the top of the valence band and the bottom of the conduction band of orthorhombic GeSe crystal are formed mainly by 4p-Ge and Se states. Calculated total density of the electronic states in the valence band is compared with XPS and UPS data. Group theory analysis which allows to find the symmetry of the wave functions in the set of high-symmetry points of the Brillouin zone and to find structure of the band representation and to determinate the actual Wyckoff positions in the unit cell of GeSe crystal was carried out. On the basis of the wave functions symmetry properties the selection rules for optical dipole transitions were found. Key words: monoselenide germany, electronic structure, electronic density of states, photoelectron spectra.
Type: Text
Publication type: Стаття
URI: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6327
Appears in Collections:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 28 - 2010

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА РОМБИЧЕСКОГО GeSe.pdf1.19 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.