Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6332
Название: Вплив одновісного тиску на діелектричні властивості кристалів CuInP(2)S(6).
Другие названия: Effect of uniaxial pressure on dielectric properties of CuInP2S6 crystals.
Авторы: Шуста, О.В.
Сливка, Олександр Георгійович
Кедюлич, Віктор Михайлович
Гуранич, Павло Павлович
Шуста, Володимир Семенович
Герзанич, Омелян Іванович
Пріц, І.П.
Ключевые слова: сегнетиелектрики, одновісний тиск, гідростатичний тиск, діелектрична проникність, фазові переходи
Дата публикации: 2010
Издательство: Видавництво УжНУ "Говерла"
Библиографическое описание: Вплив одновісного тиску на діелектричні властивості кристалів CuInP(2)S(6) [Текст] / О. В. Шуста, О. Г. Сливка, В. М. Кедюлич та ін. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / редкол.: В.Різак, В.Біланич, Ю.Височанський, О.Грабар. – Ужгород: Видавництво УжНУ «Говерла», 2010. – Вип. 28. – С. 44–46. – Бібліогр.: с. 46 (3 назви).
Серия/номер: Фізика;
Краткий осмотр (реферат): В даній роботі досліджено вплив одновісного тиску (σ<600 бар) на температурні залежності діелектричних властивостей кристалів CuInP2S6 з метою встановлення їх фазової σ,T-діаграми. Ключові слова: сегнетиелектрики, одновісний тиск, гідростатичний тиск, діелектрична проникність, фазові переходи.
Effect of uniaxial pressure (σ <200 bar) on temperature dependences of dielectric properties of CuInP2S6 crystals was investigated. The σ ,T-phase diagram of CuInP2S6 crystals was built. Key words: ferrielectrics, uniaxial pressure, hydrostatic pressure, phase transitions, dielectric properties.
Тип: Text
Тип публикации: Стаття
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6332
Располагается в коллекциях:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 28 - 2010

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
ВПЛИВ ОДНОВІСНОГО ТИСКУ НА ДІЕЛЕКТРИЧНІ.pdf327.1 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.