Исследование процессов получения и некоторые электрофизические характеристики эпитаксиальных структур Si–Ge на подложках Si и Si–Ge.

Abstract

В работе исследовались процессы получения эпитаксиальных структур Si—Ge на подложках Si и Si—Ge методом совместного водородного восстановления тетрахлоридов кремния и германия. Полученные экспериментальные образцы эпитаксиальных структур изучались методами лазерной масс-спектрометрии, микрорентгеноспектрального анализа, растровой микроскопии, ядерно- физическим методом. Ключевые слова: эпитаксиальная структура, кремний, германий, лазерная масс-спектрометрия.

In the present study we investigated the processes of obtaining epitaxial layers Si-Ge on Si and Si-Ge substrate by hydrogen reduction of silicon tetrachloride and germanium. The experimental samples of the epitaxial structures have been studied by laser mass spectrometry, electron microprobe analysis, scanning microscopy, nuclear-physical method. Key words: epitaxial layers, silicon tetrachloride, germanium, laser mass spectrometry.