Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6368
Название: | Исследование процессов получения и некоторые электрофизические характеристики эпитаксиальных структур Si–Ge на подложках Si и Si–Ge. |
Другие названия: | Investigation of processes of obtaining and some electrical characteristics of epitaxial structures Si-Ge on Si and Si-Ge substrate. |
Авторы: | Журавлёв, А.Ю. Семёнов, Н.А. Шеремет, В.И. Широков, Б.М. Шиян, А.В. Бокучава, Г.В. Дарсавелидзе, Г.Ш. Чиковани, Р.И. |
Ключевые слова: | эпитаксиальная структура, кремний, германий, лазерная масс-спектрометрия |
Дата публикации: | 2011 |
Издательство: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
Библиографическое описание: | Исследование процессов получения и некоторые электрофизические характеристики эпитаксиальных структур Si–Ge на подложках Si и Si–Ge / А. Ю. Журавлев, Н. А. Семенов, В. И. Шеремет и др. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / редкол.: В. Різак, В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород: Видавництво УжНУ «Говерла», 2011. – Вип.29. – С. 30–36. – Бібліогр.: с. 34–35 (12 назв). |
Серия/номер: | Фізика; |
Краткий осмотр (реферат): | В работе исследовались процессы получения эпитаксиальных структур Si—Ge
на подложках Si и Si—Ge методом совместного водородного восстановления
тетрахлоридов кремния и германия. Полученные экспериментальные образцы
эпитаксиальных структур изучались методами лазерной масс-спектрометрии,
микрорентгеноспектрального анализа, растровой микроскопии, ядерно-
физическим методом.
Ключевые слова: эпитаксиальная структура, кремний, германий, лазерная
масс-спектрометрия. In the present study we investigated the processes of obtaining epitaxial layers Si-Ge on Si and Si-Ge substrate by hydrogen reduction of silicon tetrachloride and germanium. The experimental samples of the epitaxial structures have been studied by laser mass spectrometry, electron microprobe analysis, scanning microscopy, nuclear-physical method. Key words: epitaxial layers, silicon tetrachloride, germanium, laser mass spectrometry. |
Тип: | Text |
Тип публикации: | Стаття |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6368 |
Располагается в коллекциях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 29 - 2011 |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ.pdf | 328.49 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.