Focused ion source for the microelectronics thin films processing.

Abstract

This paper presents the results of the optimized compact ion source application for the corrective ion-beam etching with the purpose to regulate the thickness and uniformity of microelectronics functional layers with high precision on large-diameter wafers. The functional layers on the wafers are etched by the scanning ion beam. Localization and power of the beam correspond to the thin film surface inhomogeneity. The possibility of both correcting the thin film surface inhomogeneity and increasing the surface roughness with the precision up to 4 Å is shown. Key words: compact ion source, film surface inhomogeneity, ion-beam etching.

У роботі показано результати застосування оптимізованого компактного іонного джерела для коригуючого іонно-променевого травлення для регулювання товщини функціональних шарів мікроелектроніки з високою точністю. Функціональний шар на підкладці витравлюється скануючим сфокусованим іонним пучком, локалізація та потужність якого відповідає топографії неоднорідності товщини функціонального шару. Показано можливість регулювання розподілу товщини плівок по поверхні підкладок до +/-4 Å та зменшення шорсткості поверхні. Ключові слова: компактне іонне джерело, топографія, товщини функціонального шару