Фоторезистивні шари на основі стекол системи As-S

Abstract

Приведено результати досліджень можливості застосування аморфних плівок системи AsxS1-x, де 30≤х≤43As-S в якості фоторезистивних шарів. На основі вивчення залежностей швидкості розчинення, селективності, якості поверхні від складу, експозиції, рецептури і температури розчинника показано перспективність використання в якості ефективного травника морфоліну з активуючими добавками. Даний фоторезист характеризується високою селективністю, чіткими границями травлення та хорошою якістю поверхні.

The selective etching procedure was studied for evaluation of the possibility of the application AsxS1-x, (30≤х≤43) films as a photoresist. Dependences of the dissolution rates, the selectivity and quality of the film surface both during and after etching procedure on the film compound and composition of solution, and its temperature were investigated. It is found that morpholine with activated admixture is the perspective and effective etching solution. Investigated layers of the photoresist have high selectivity, precise boundary, and good quality of the surface. It is concluded, that these layers are suitable for the fabrication of different diffractive optical elements (gratings, lenses, etc.).