Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/16541
Назва: ВПЛИВ ХІМІЧНОГО ПОТЕНЦІАЛУ НА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТАЛІЙ (І) БІСМУТ (ІІІ) ДИХАЛЬКОГЕНІДІВ TlBiS2 (Se2, Te2)
Автори: Козьма, Антон Антонович
Мучичка, Іванна Іванівна
Переш, Євген Юлійович
Барчій, Ігор Євгенович
Габорець, Наталія Йосипівна
Зубака, Оксана Василівна
Дата публікації: 2017
Видавництво: УжНУ
Бібліографічний опис: Using a fundamental of the theory А.F. Iоffе influencing value of chemical potential on thermoelectric properties ternary chalcogenides TlBiS2, TlBiSe2 and TlBiTe2 is estimated. Is established, that depending on technological conditions of obtaining is samples, the chemical potential is inflected in a definite spacing. For compounds TlBiSe2 at a room temperature reduced chemical potential is in range of values 2,6 ≤ µ* ≤ 6,5. For TlBiS2 and TlBiTe2 this spacing more broad: 2,7 ≤ µ* ≤ 14,2 and 2,6 ≤ µ* ≤ 12,1 accordingly. Thus, by selected yardstick to the most perspective materials it is possible to relate samples the thallium (I) bismuth (III) diselenide.
Тип: Text
Тип публікації: Стаття
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/16541
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри фізичної та колоїдної хімії

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Nvuuchem_2015_2_6.pdf120.84 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.