Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17105
Название: Фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібного Ge2S3
Другие названия: Physical properties of modified structures on the bases of glassy Ge2S3
Авторы: Юркович, Наталія Василівна
Дата публикации: 2003
Издательство: Редакційно-видавнича рада Ужгородського національного університету
Библиографическое описание: Юркович, Н. В. Фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібного Ge2S3 [Текст] / Н. В. Юркович // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І. Небола (відпов. ред.), Д. Блецкан, О. Герзанич та ін. – Ужгород : УжНУ, 2003. – Вип. 13. – С. 46–51. – Бібліогр.: с.51 (6 назв). – Рез. англ.
Серия/номер: Фізика;
Краткий осмотр (реферат): Одержані модифіковані структури на основі склоподібного Ое28з та визначені умови їх формування. Встановлений механізм конденсації по типу пара-рідина-тверда фаза з коалісценсією для структур з вісмутом і свинцем та пара-тверда фаза для тонкоплівкових структур з алюмінієм і телуром. Досліджено вплив типу і концентрації введеного модифікатора на край власного поглинання градієнтних плівок Се283+Х(Х-А1,Ві,РЬ,Те).
Modified structures on the basis of glassy Ge2S3 have been received and the conditions of their formation have been defined as well. The mechanism of condensation according to tire type steam-liquid-solid phase with coalescence for structures with bismuth and plumbum and steam-solid phase for thin-film structures with aluminium and tellurium has been defined. The influence of the type and concentration of the brought into the edge of the own absorption of the gradient films Ge2S3+X(X-Al,Bi,Pb,Te) has been in the focus of our attention.
Тип: Text
Тип публикации: Стаття
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17105
Располагается в коллекциях:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 13 - 2003



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.