Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17105
Назва: Фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібного Ge2S3
Інші назви: Physical properties of modified structures on the bases of glassy Ge2S3
Автори: Юркович, Наталія Василівна
Дата публікації: 2003
Видавництво: Редакційно-видавнича рада Ужгородського національного університету
Бібліографічний опис: Юркович, Н. В. Фізичні властивості модифікованих структур на основі склоподібного Ge2S3 [Текст] / Н. В. Юркович // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І. Небола (відпов. ред.), Д. Блецкан, О. Герзанич та ін. – Ужгород : УжНУ, 2003. – Вип. 13. – С. 46–51. – Бібліогр.: с.51 (6 назв). – Рез. англ.
Серія/номер: Фізика;
Короткий огляд (реферат): Одержані модифіковані структури на основі склоподібного Ое28з та визначені умови їх формування. Встановлений механізм конденсації по типу пара-рідина-тверда фаза з коалісценсією для структур з вісмутом і свинцем та пара-тверда фаза для тонкоплівкових структур з алюмінієм і телуром. Досліджено вплив типу і концентрації введеного модифікатора на край власного поглинання градієнтних плівок Се283+Х(Х-А1,Ві,РЬ,Те).
Modified structures on the basis of glassy Ge2S3 have been received and the conditions of their formation have been defined as well. The mechanism of condensation according to tire type steam-liquid-solid phase with coalescence for structures with bismuth and plumbum and steam-solid phase for thin-film structures with aluminium and tellurium has been defined. The influence of the type and concentration of the brought into the edge of the own absorption of the gradient films Ge2S3+X(X-Al,Bi,Pb,Te) has been in the focus of our attention.
Тип: Text
Тип публікації: Стаття
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17105
Розташовується у зібраннях:Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 13 - 2003



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.