Одержання високочистого галію

Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Риган, М.Ю.	-
dc.date.accessioned	2017-12-26T08:59:34Z	-
dc.date.available	2017-12-26T08:59:34Z	-
dc.date.issued	2003	-
dc.identifier.citation	Риган, М. Ю. Одержання високочистого галію [Текст] / М. Ю. Риган // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Хімія / редкол. С.Ю.Чундак, В.І. Гомонай, Є.Ю. Переш. – Ужгород : Патент, 2003. – Вип. 10. – С. 26–29. – Бібліогр.: с.29 (10 назв). – Рез. англ.	uk
dc.identifier.uri	https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963	-
dc.description.abstract	The high purity gallium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of gallium with 4,5·10-3 to 5·10-5 mass. %.	uk
dc.language.iso	uk	uk
dc.publisher	Видавництво УжНУ "Говерла"	uk
dc.relation.ispartofseries	Хімія;	-
dc.title	Одержання високочистого галію	uk
dc.title.alternative	The growth of the high purity gallium	uk
dc.type	Text	uk
dc.pubType	Стаття	uk
Appears in Collections:	Науковий вісник УжНУ Серія: Хімія Випуск 10 - 2003

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
ОДЕРЖАННЯ ВИСОКОЧИСТОГО ГАЛІЮ.pdf		109.53 kB	Adobe PDF	View/Open