Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963
Название: Одержання високочистого галію
Другие названия: The growth of the high purity gallium
Авторы: Риган, М.Ю.
Дата публикации: 2003
Издательство: Видавництво УжНУ "Говерла"
Библиографическое описание: Риган, М. Ю. Одержання високочистого галію [Текст] / М. Ю. Риган // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Хімія / редкол. С.Ю.Чундак, В.І. Гомонай, Є.Ю. Переш. – Ужгород : Патент, 2003. – Вип. 10. – С. 26–29. – Бібліогр.: с.29 (10 назв). – Рез. англ.
Серия/номер: Хімія;
Краткий осмотр (реферат): The high purity gallium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of gallium with 4,5·10-3 to 5·10-5 mass. %.
Тип: Text
Тип публикации: Стаття
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963
Располагается в коллекциях:Науковий вісник УжНУ Серія: Хімія Випуск 10 - 2003

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
ОДЕРЖАННЯ ВИСОКОЧИСТОГО ГАЛІЮ.pdf109.53 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.