Please use this identifier to cite or link to this item: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963
Title: Одержання високочистого галію
Other Titles: The growth of the high purity gallium
Authors: Риган, М.Ю.
Issue Date: 2003
Publisher: Видавництво УжНУ "Говерла"
Citation: Риган, М. Ю. Одержання високочистого галію [Текст] / М. Ю. Риган // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Хімія / редкол. С.Ю.Чундак, В.І. Гомонай, Є.Ю. Переш. – Ужгород : Патент, 2003. – Вип. 10. – С. 26–29. – Бібліогр.: с.29 (10 назв). – Рез. англ.
Series/Report no.: Хімія;
Abstract: The high purity gallium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of gallium with 4,5·10-3 to 5·10-5 mass. %.
Type: Text
Publication type: Стаття
URI: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963
Appears in Collections:Науковий вісник УжНУ Серія: Хімія Випуск 10 - 2003

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ОДЕРЖАННЯ ВИСОКОЧИСТОГО ГАЛІЮ.pdf109.53 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.