Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963
Назва: Одержання високочистого галію
Інші назви: The growth of the high purity gallium
Автори: Риган, М.Ю.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Видавництво УжНУ "Говерла"
Бібліографічний опис: Риган, М. Ю. Одержання високочистого галію [Текст] / М. Ю. Риган // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Хімія / редкол. С.Ю.Чундак, В.І. Гомонай, Є.Ю. Переш. – Ужгород : Патент, 2003. – Вип. 10. – С. 26–29. – Бібліогр.: с.29 (10 назв). – Рез. англ.
Серія/номер: Хімія;
Короткий огляд (реферат): The high purity gallium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of gallium with 4,5·10-3 to 5·10-5 mass. %.
Тип: Text
Тип публікації: Стаття
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963
Розташовується у зібраннях:Науковий вісник УжНУ Серія: Хімія Випуск 10 - 2003

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ОДЕРЖАННЯ ВИСОКОЧИСТОГО ГАЛІЮ.pdf109.53 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.