Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963
Назва: | Одержання високочистого галію |
Інші назви: | The growth of the high purity gallium |
Автори: | Риган, М.Ю. |
Дата публікації: | 2003 |
Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
Бібліографічний опис: | Риган, М. Ю. Одержання високочистого галію [Текст] / М. Ю. Риган // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Хімія / редкол. С.Ю.Чундак, В.І. Гомонай, Є.Ю. Переш. – Ужгород : Патент, 2003. – Вип. 10. – С. 26–29. – Бібліогр.: с.29 (10 назв). – Рез. англ. |
Серія/номер: | Хімія; |
Короткий огляд (реферат): | The high purity gallium have been obtained by specially established technological regimes. The methods of lead-acid etching and hyperthermal treatings possible to increased purity of gallium with 4,5·10-3 to 5·10-5 mass. %. |
Тип: | Text |
Тип публікації: | Стаття |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/17963 |
Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Хімія Випуск 10 - 2003 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
ОДЕРЖАННЯ ВИСОКОЧИСТОГО ГАЛІЮ.pdf | 109.53 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.