Фотоіндуковані зміни мікротвердості аморфних тонких плівок системи Ge–As–Se

Abstract

Наведені результати досліджень кінетики фотоіндукованих змін мікротвердості аморфних плівок GeхAsуSe100-х-у при опроміненні лазером потужністю 50 мВт з довжиною хвилі 655 нм. Показано, що інтенсивні (10%--27%) фотоіндуковані зміни твердості плівок спостерігаються протягом 25–30 хв. опромінювання: при включенні опромінювання мікротвердість експоненціально зменшується, а при виключенні – експоненціально зростає. Величина фотоіндукованих змін мікротвердості залежить від середнього координаційного числа Z і є максимальною при Z=2.8. Мінімальні фотоіндуковані зміни мікротвердості спостерігається в області топологічного структурного 2D-3D переходу при Z=2.67. Гігантське зростання фотоіндукованих зміни мікротвердості при Z>2.67 пояснено в рамках інтрамолекулярної структурної моделі фотоіндукованої пластичності в халькогенідних стеклах. Ключові слова: мікротвердість, фотоіндуковані зміни, тонкі плівки, халькогенідні стекла, Ge-As-Se.