Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2075| Назва: | Фотоіндуковані зміни мікротвердості аморфних тонких плівок системи Ge–As–Se |
| Інші назви: | Photoinduced changes in microhardnes of amorphous thin films of the Ge-As-Se system |
| Автори: | Кузьма, Василь Васильович Біланич, Віталій Степанович Flachbart, K. Lofaj, F. Csach, K. Різак, Василь Михайлович |
| Ключові слова: | мікротвердість, фотоіндуковані зміни, тонкі плівки |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Бібліографічний опис: | Фотоіндуковані зміни мікротвердості аморфних тонких плівок системи Ge–As–Se [Текст] / В. В. Кузьма, В. С. Біланич, K. Flachbart та ін. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / відп. ред. В. Різак; відп. за вип. М. Мар’ян. – Ужгород : Видавництво УжНУ "Говерла", 2014. – Вип.36. – C. 51–57. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 55–56 (11 назв). |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | Наведені результати досліджень кінетики фотоіндукованих змін мікротвердості аморфних плівок GeхAsуSe100-х-у при опроміненні лазером потужністю 50 мВт з довжиною хвилі 655 нм. Показано, що інтенсивні (10%--27%) фотоіндуковані зміни твердості плівок спостерігаються протягом 25–30 хв. опромінювання: при включенні опромінювання мікротвердість експоненціально зменшується, а при виключенні – експоненціально зростає. Величина фотоіндукованих змін мікротвердості залежить від середнього координаційного числа Z і є максимальною при Z=2.8. Мінімальні фотоіндуковані зміни мікротвердості спостерігається в області топологічного структурного 2D-3D переходу при Z=2.67. Гігантське зростання фотоіндукованих зміни мікротвердості при Z>2.67 пояснено в рамках інтрамолекулярної структурної моделі фотоіндукованої пластичності в халькогенідних стеклах. Ключові слова: мікротвердість, фотоіндуковані зміни, тонкі плівки, халькогенідні стекла, Ge-As-Se. |
| Опис: | The results of experimental studies of the kinetics of photoinduced changes in microhardness of amorphous films GeхAsуSe100-х-у under the irradiation with a laser of 50 mW power and 655 nm wavelength are presented. It is shown that the intense (10-27%) photoinduced changes of hardness of the films are observed for 25-30 minutes exposure: when the irradiation is enabled the microhardness decreases exponentially, and when it's disabled - increases exponentially. The value of photoinduced changes of microhardness depends on the average coordination number Z and has maximum at Z = 2.8. Minimum of the photoinduced microhardness changes in the topological structural 2D-3D transition at Z = 2.67 was observed. Giant growth of photoinduced changes of microhardness at Z > 2.67 is explained within the intramolecular structural model of photoinduced plasticity in chalcogenide glasses. Keywords: microhardness, photoinduced changes, thin film, chalcogenide glass, Ge-As-Se. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2075 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 36 - 2014 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФОТОІНДУКОВАНІ ЗМІНИ МІКРОТВЕРДОСТІ.pdf | 352.61 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.