Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2173| Title: | Электронная структура 2Н–политипа SnSe(2) |
| Other Titles: | The electronic structure of 2H-polytype SnSe(2) |
| Authors: | Блецкан, Дмитро Іванович Глухов, Костянтин Євгенович Фролова, В.В. |
| Keywords: | дисульфид олова, электронная структура, плотность состояний |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Citation: | Блецкан, Д. И. Электронная структура 2Н–политипа SnSe(2) [Текст] / Д. И. Блецкан, К. Е. Глухов, В. В. Фролова // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / відп. ред. В. Різак; відп. за вип. В. Біланич. – Ужгород: Видавництво УжНУ "Говерла", 2014. – Вип.35. – С. 36–50. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 48–49 (35 назв). |
| Series/Report no.: | Фізика; |
| Abstract: | Методом функционала плотности без учета и с учетом спин-орбитального взаимодействия рассчитаны энергетическая зонная структура, полная и локальные парциальные плотности состояний, пространственное распределе- ние плотности электронного заряда 2Н-SnSе2. Выполнен теоретико-групповой анализ, позволивший установить трансформационные свойства волновых функций в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна и структуру зонного представления валентной зоны. Исходя из симметрии волновых функций установлены правила отбора для прямых оптических дипольных переходов. Из результатов расчета зонной структуры следует, что 2Н-SnSе2 является непря- мозонным полупроводником. Рассчитанная зонная структура сопоставлена с дисперсионными кривыми E(k), построенными по результатам измерения угловой зависимости спектров фотоэмиссии. Наблюдается хорошее согласие теоретических и экспериментальных дисперсионных кривых. Ключевые слова: дисульфид олова, электронная структура, плотность состояний. |
| Description: | The energy band structure (with and without spin-orbital interaction), total and local partial density of states, the spatial distribution of electronic charge densities of 2H-SnSe2 crystal was calculated by the density functional method. The grouptheoretic analysis, which allowed to establish transformation properties of wave functions in high symmetry points of a Brillouin zone and structure of band representations of a valence band was conducted. Based on the symmetry of wave functions the selection rules for direct optical dipole transitions were obtained. From the results of band structure calculation follows that 2H-SnSe2 is an indirect-gap semiconductor. Calculated band structure was compared with dispersive curves E(k), constructed by the measurement results of angular dependence of photoemission spectra. There is a good agreement between theoretical and experimental dispersive curves. Keywords: tin disulphide, electronic structure, density of states. |
| Type: | Text |
| Publication type: | Стаття |
| URI: | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2173 |
| Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 35 - 2014 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА 2H-ПОЛИТИПА SnSe2.pdf | 4.33 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.