Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2173| Назва: | Электронная структура 2Н–политипа SnSe(2) |
| Інші назви: | The electronic structure of 2H-polytype SnSe(2) |
| Автори: | Блецкан, Дмитро Іванович Глухов, Костянтин Євгенович Фролова, В.В. |
| Ключові слова: | дисульфид олова, электронная структура, плотность состояний |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Бібліографічний опис: | Блецкан, Д. И. Электронная структура 2Н–политипа SnSe(2) [Текст] / Д. И. Блецкан, К. Е. Глухов, В. В. Фролова // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / відп. ред. В. Різак; відп. за вип. В. Біланич. – Ужгород: Видавництво УжНУ "Говерла", 2014. – Вип.35. – С. 36–50. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 48–49 (35 назв). |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | Методом функционала плотности без учета и с учетом спин-орбитального взаимодействия рассчитаны энергетическая зонная структура, полная и локальные парциальные плотности состояний, пространственное распределе- ние плотности электронного заряда 2Н-SnSе2. Выполнен теоретико-групповой анализ, позволивший установить трансформационные свойства волновых функций в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна и структуру зонного представления валентной зоны. Исходя из симметрии волновых функций установлены правила отбора для прямых оптических дипольных переходов. Из результатов расчета зонной структуры следует, что 2Н-SnSе2 является непря- мозонным полупроводником. Рассчитанная зонная структура сопоставлена с дисперсионными кривыми E(k), построенными по результатам измерения угловой зависимости спектров фотоэмиссии. Наблюдается хорошее согласие теоретических и экспериментальных дисперсионных кривых. Ключевые слова: дисульфид олова, электронная структура, плотность состояний. |
| Опис: | The energy band structure (with and without spin-orbital interaction), total and local partial density of states, the spatial distribution of electronic charge densities of 2H-SnSe2 crystal was calculated by the density functional method. The grouptheoretic analysis, which allowed to establish transformation properties of wave functions in high symmetry points of a Brillouin zone and structure of band representations of a valence band was conducted. Based on the symmetry of wave functions the selection rules for direct optical dipole transitions were obtained. From the results of band structure calculation follows that 2H-SnSe2 is an indirect-gap semiconductor. Calculated band structure was compared with dispersive curves E(k), constructed by the measurement results of angular dependence of photoemission spectra. There is a good agreement between theoretical and experimental dispersive curves. Keywords: tin disulphide, electronic structure, density of states. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2173 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 35 - 2014 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА 2H-ПОЛИТИПА SnSe2.pdf | 4.33 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.