Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2558| Название: | Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного PbGeS(3) |
| Другие названия: | Photoelectric properties of crystalline and glassy PbGeS(3) |
| Авторы: | Блецкан, Дмитро Іванович Кабаций, В.Н. |
| Ключевые слова: | тиогерманат свинца, фотопроводимость, кристалл, стекло |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издательство: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Библиографическое описание: | Блецкан, Д. И. Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного PbGeS(3) [Текст] / Д. И. Блецкан, В. Н. Кабаций // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород: Говерла, 2012. – Вип. 31. – C. 29–40. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 38–39 (32 назви). |
| Серия/номер: | Фізика; |
| Краткий осмотр (реферат): | Проведено комплексное исследование стационарных характеристик фото-проводимости (спектральное распределение фотопроводимости (ФП), люкс-амперные характеристики (ЛАХ), температурные зависимости темновой и фо-топроводимости) и термостимулированного тока (ТСТ) кристаллического (к-) и стеклообразного (с-) PbGeS3. Установлено, что в зависимости от скорости выращивания кристаллов в спектрах ФП, кроме собственного максимума наблюдается один или два примесных. Для стеклообразного тиогерманата свинца в спектрах ФП в области длин волн 0,4–1,0 мкм обнаружен гистерезис при изменении направления развертки длин волн падающего на образец света, обусловленный явлением индуцированной примесной проводимости. На тем-пературных зависимостях фотопроводимости наблюдается активация ФП, вы-званная термическим опустошением уровней прилипания. Ключевые слова: тиогерманат свинца, фотопроводимость, кристалл, стекло. |
| Описание: | The integrated investigations of the stationary characteristics of photoconductivi-ty (the spectral distribution of photoconductivity (PC)), luminous-ampere character-istics (LAC), temperature dependences of dark photoconductivity) and the thermost-imulated current (TSC) for crystalline and glassy lead thiogermanate (PbGeS3) were performed. It was determined, as a function of crystals growing rate, there are one or two impurity maxima except for the native one in photoconductivity spectra. For the glassy lead thiogermanate in the range of wave lengths of 0,4-1,0 μm in PC spectra was revealed the hysteresis at the change of direction wave lengths sweep of inci-dent light, conditioned by the phenomenon of induced impurity conductivity. The activation of PC, caused by thermal emptying of attachment levels, was observed on the temperature dependences of photoconductivity. Key words: Lead thiogermanate; Photoconductivity; Crystal; Glass. |
| Тип: | Text |
| Тип публикации: | Стаття |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2558 |
| Располагается в коллекциях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 31 - 2012 |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.pdf | 224.46 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.