Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2558| Назва: | Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного PbGeS(3) |
| Інші назви: | Photoelectric properties of crystalline and glassy PbGeS(3) |
| Автори: | Блецкан, Дмитро Іванович Кабаций, В.Н. |
| Ключові слова: | тиогерманат свинца, фотопроводимость, кристалл, стекло |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Бібліографічний опис: | Блецкан, Д. И. Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного PbGeS(3) [Текст] / Д. И. Блецкан, В. Н. Кабаций // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / ред. кол. : В. Різак (відп. ред.), В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород: Говерла, 2012. – Вип. 31. – C. 29–40. – Рез. англ., рос. – Бібліогр.: с. 38–39 (32 назви). |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | Проведено комплексное исследование стационарных характеристик фото-проводимости (спектральное распределение фотопроводимости (ФП), люкс-амперные характеристики (ЛАХ), температурные зависимости темновой и фо-топроводимости) и термостимулированного тока (ТСТ) кристаллического (к-) и стеклообразного (с-) PbGeS3. Установлено, что в зависимости от скорости выращивания кристаллов в спектрах ФП, кроме собственного максимума наблюдается один или два примесных. Для стеклообразного тиогерманата свинца в спектрах ФП в области длин волн 0,4–1,0 мкм обнаружен гистерезис при изменении направления развертки длин волн падающего на образец света, обусловленный явлением индуцированной примесной проводимости. На тем-пературных зависимостях фотопроводимости наблюдается активация ФП, вы-званная термическим опустошением уровней прилипания. Ключевые слова: тиогерманат свинца, фотопроводимость, кристалл, стекло. |
| Опис: | The integrated investigations of the stationary characteristics of photoconductivi-ty (the spectral distribution of photoconductivity (PC)), luminous-ampere character-istics (LAC), temperature dependences of dark photoconductivity) and the thermost-imulated current (TSC) for crystalline and glassy lead thiogermanate (PbGeS3) were performed. It was determined, as a function of crystals growing rate, there are one or two impurity maxima except for the native one in photoconductivity spectra. For the glassy lead thiogermanate in the range of wave lengths of 0,4-1,0 μm in PC spectra was revealed the hysteresis at the change of direction wave lengths sweep of inci-dent light, conditioned by the phenomenon of induced impurity conductivity. The activation of PC, caused by thermal emptying of attachment levels, was observed on the temperature dependences of photoconductivity. Key words: Lead thiogermanate; Photoconductivity; Crystal; Glass. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/2558 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 31 - 2012 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА.pdf | 224.46 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.